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成都嘉石科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205159336U | 一种硅基异质集成的MHEMT结构 | 2016.04.13 | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种硅基异质集成的MHEMT结构，包括p型Si衬底和在p型Si衬 |
| 2 | CN205159335U | GaN HEMT器件 | 2016.04.13 | 本实用新型提供了一种GaN HEMT器件，其包括由下自上依次层叠的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和 |
| 3 | CN105470122A | 一种SiC减薄方法 | 2016.04.06 | 本发明涉及半导体制造领域，通过提供一种SiC减薄方法，包括如下内容：在SiC晶片正面均匀涂覆光刻胶； |
| 4 | CN105424234A | 一种压力传感器集成器件及其制作方法 | 2016.03.23 | 本发明涉及半导体制造领域，解决现有传感器集成度不高，体积较大，在极限环境下容易受到影响的技术问题，通 |
| 5 | CN105428410A | 具有2DEG恢复效应的GaN HEMT器件 | 2016.03.23 | 本发明提供了一种具有2DEG恢复效应的GaN HEMT器件。其包括由下至上依次形成的Si衬底、GaN |
| 6 | CN105428222A | SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法 | 2016.03.23 | 本发明提供了一种SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法，其包括：将SiC基GaN器件远离SiC衬底的表 |
| 7 | CN205092243U | 增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器 | 2016.03.16 | 本实用新型提供了一种增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器，其包括由下自上依次形成的Si衬底、成核层、 |
| 8 | CN205092245U | Si基GaAs器件 | 2016.03.16 | 本实用新型提供了一种Si基GaAs器件。其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaA |
| 9 | CN205081147U | 一种GaN压力传感器芯片 | 2016.03.09 | 本实用新型提供一种GaN压力传感器芯片，包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、Al |
| 10 | CN205081119U | 基于GaAs的光电集成器件 | 2016.03.09 | 本实用新型提供了一种基于GaAs的光电集成器件。光电集成器件包括GaAs衬底、形成在GaAs衬底上的 |
| 11 | CN205081122U | GaN电子器件 | 2016.03.09 | 本实用新型提供了一种GaN电子器件，其包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层 |
| 12 | CN105373660A | 基于等效电路的晶体管可靠性表征方法 | 2016.03.02 | 本发明提供一种基于等效电路的晶体管可靠性表征方法，包括以下步骤：S1、根据晶体管类型确定晶体管的等效 |
| 13 | CN105374671A | T形栅结构的光刻方法 | 2016.03.02 | 本发明提供了一种T形栅结构的光刻方法。其包括：在衬底表面涂布光刻胶，并进行烘烤后得到栅脚层；对栅脚层 |
| 14 | CN105374870A | 具备亚阈值势垒的HEMT外延结构 | 2016.03.02 | 本发明提供了一种具备亚阈值势垒的HEMT外延结构。其包括由下至上依次形成的Si衬底、SiN/AlN成 |
| 15 | CN105352636A | GaN压力传感器件及其制作方法 | 2016.02.24 | 本发明提供了一种GaN压力传感器件及其制作方法。该器件包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、Ga |
| 16 | CN105304706A | Si基MHEMT外延结构 | 2016.02.03 | 本发明提供了一种Si基MHEMT外延结构。其包括由下至上依次生长的P型Si衬底、GaAs成核层、晶格 |
| 17 | CN105244378A | 一种GaN器件及其制作方法 | 2016.01.13 | 本发明涉及半导体制造领域，通过提供一种GaN器件及其制作方法，该器件包括由下至上依次设置的衬底、Al |
| 18 | CN105226093A | GaN HEMT器件及其制作方法 | 2016.01.06 | 本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制作方法。该器件包括由下而上依次形成的衬底、AlN成核层、G |
| 19 | CN204925290U | 微波器件的测试装置 | 2015.12.30 | 本实用新型提供了一种微波器件的测试装置。该测试装置包括底座、弹性连接器、电路测试板以及与底座相配套的 |
| 20 | CN105185824A | 半导体器件的制作方法 | 2015.12.23 | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：提供生长衬底，在生长衬底上制作多个孔洞；在生长 |
| 21 | CN105185704A | 深硅刻蚀方法 | 2015.12.23 | 本发明提供了一种深硅刻蚀方法。该方法包括：采用ICP刻蚀工艺在对阻挡层开口内的硅衬底进行刻蚀，形成沟 |
| 22 | CN105161536A | 一种具有跨线场板的半导体器件的制造方法 | 2015.12.16 | 本发明提供一种具有跨线场板的半导体器件的制造方法，提供衬底，在衬底上依次形成成核层、缓冲层、势垒层， |
| 23 | CN204857677U | 一种晶圆旋转湿法处理装置 | 2015.12.09 | 本实用新型涉及半导体技术领域，解决了现有技术中采用的湿法处理装置存在容易对晶圆造成破坏的技术问题，通 |
| 24 | CN105112972A | 一种电镀种子层的制作方法 | 2015.12.02 | 本发明提供了一种电镀种子层的制作方法。该电镀种子层的作用是为后续的金属电镀工艺提供良好的导电层，该制 |
| 25 | CN204834604U | 高散热性能的半导体器件 | 2015.12.02 | 本实用新型提供了一种高散热性能的半导体器件。该半导体器件包括：衬底，衬底具有多个通孔，通孔从衬底的上 |
| 26 | CN204809203U | 一种固定晶圆的托盘装置 | 2015.11.25 | 本实用新型涉及特征尺寸扫描式电子显微镜量测镜片装置技术领域，解决现有技术中采用特征尺寸扫描式电子显微 |
| 27 | CN105070751A | GaAs HBT器件 | 2015.11.18 | 本发明提供了一种GaAs HBT器件。该GaAs HBT器件包括衬底、N型GaAs集电区、P型GaA |
| 28 | CN204792740U | 一种晶圆传送装置 | 2015.11.18 | 本实用新型提供一种晶圆传送装置，包括晶圆托盘，该晶圆托盘上设有呈三角形排列的第一顶针、第二顶针及第三 |
| 29 | CN204792750U | 晶圆取片器 | 2015.11.18 | 本实用新型提供了一种晶圆取片器。晶圆取片器包括：手柄，手柄为中空结构，在手柄上设有泄压阀，泄压阀用于 |
| 30 | CN105070646A | 一种低应力氮化硅薄膜的制备方法 | 2015.11.18 | 本发明涉及半导体制备技术领域，解决了现有技术中在制备氮化硅薄膜中应力较大，不适于砷化镓器件的要求的技 |
| 31 | CN204760374U | 半导体器件 | 2015.11.11 | 本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件包括基底、外延层、栅极、源极和漏极，外延层为多层结构，外延 |
| 32 | CN204760386U | 一种带场板的高功率高耐压半导体器件 | 2015.11.11 | 本实用新型涉及半导体技术领域，解决了现有技术中存在半导体器件在高电压下容易被击穿的技术问题，通过提供 |
| 33 | CN204732387U | 用于移动超薄晶圆的真空吸盘装置 | 2015.10.28 | 本实用新型提供一种用于移动超薄晶圆的真空吸盘装置。其包括吸盘、隔离环、真空管、密封板、电磁板和真空气 |
| 34 | CN104992964A | 具有PN结的GaN外延结构 | 2015.10.21 | 本发明提供了一种具有PN结的GaN外延结构。该外延结构包括衬底；形成在衬底上的成核层；形成在成核层上 |
| 35 | CN104992953A | 基于GaAs的光电集成器件及其制备方法 | 2015.10.21 | 本发明提供了一种基于GaAs的光电集成器件及其制备方法。光电集成器件包括GaAs衬底、形成在GaAs |
| 36 | CN104966667A | III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 | 2015.10.07 | 本发明提供了一种III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法。该方法包括：在外延层上形成掩膜 |
| 37 | CN104966732A | GaAs基pHEMT器件及其制备方法 | 2015.10.07 | 本发明提供了一种GaAs基pHEMT器件及其制备方法。该器件包括由下至上依次层叠的GaAs衬底、缓冲 |
| 38 | CN104950596A | T形栅结构的光刻方法 | 2015.09.30 | 本发明提供了一种T形栅结构的光刻方法。其包括：在晶圆的衬底表面涂布投影式光刻胶，并进行烘烤后得到栅脚 |
| 39 | CN204668309U | 基于GaN的光电集成器件及其外延结构 | 2015.09.23 | 本实用新型提供了一种基于GaN的光电集成器件及其外延结构。光电集成器件包括由下而上依次层叠的衬底、成 |
| 40 | CN104900747A | 基于GaN的光电集成器件及其制备方法、外延结构 | 2015.09.09 | 本发明提供一种基于GaN的光电集成器件及其制备方法、外延结构。该器件包括由下而上依次层叠的衬底、成核 |
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